Прищепа М.М. Погребняк В.П. Мікроелектроніка (2004) [djvu]

Прищепа М. М., Погребняк В. П. Мікроелектроніка. В 3 ч. Ч. 1. Елементи мікроелектроніки: Навч. посіб. / За ред. М. М. Прищепи. - К.: Вища шк., 2004. -431 с.: іл.

ISBN 966-642-223-9 (ч. 1)
ISBN 966-642-224-7

Висвітлено структури, конструкції, фізичні та математичні моделі, параметри й характеристики основних елементів інтегрованих мікросхем. На основі аналізу фізичної структури інтегрованих елементів виведено основні співвідношення для параметрів, поданих у вигляді, що використовується в розрахунках при проектуванні каскадів і логічних елементів великих інтегрованих мікросхем. Аналіз функціонування елементів та розрахунки виконано на доступному інженерному рівні. Для кожного елемента розглянуто приклад розв’язування задачі та наведено задачі для самостійного розв’язування.

Прищепа М. М., Погребняк В. П. Мікроелектроніка: В 3 ч. Ч. 2. Елементи мікросхемотехніки: Навч. посіб. / За ред. М. М. Прищепи. - К.: Вища шк., 2006. - 503 с.: іл.

ISBN 966-642-319-7 (ч. 2)
ISBN 966-642-224-7

Висвітлено основи мікросхемотехніки аналогових і цифрових інтегрованих мікросхем та комплекс проблем, пов’язаних з розробленням схемних рішень базових каскадів і базових логічних елементів великих та надвеликих інтегрованих мікросхем, а також типові варіанти їх використання. На основі аналізу принципів функціонування основних каскадів аналогових інтегрованих мікросхем і логічних елементів цифрових мікросхем виведено основні співвідношення для розрахунків їхніх параметрів, поданих у вигляді, що використовується під час проектування великих і надвеликих інтегрованих мікросхем. Рівень викладення матеріалу відповідає сучасним досягненням мікроелектроніки. Висвітлення питань схемотехніки мікросхем супроводжується прикладами розрахунків.

Прищепа М. М., Погребняк В. П. Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. Навч. посіб. / За ред. М. М. Прищепи. — К.: Вища шк., 2005. — 167 с.: іл.

ISBN 966-642-278-6

Наведено основні співвідношення для розрахунків електричних параметрів і проектування елементів інтегрованих мікросхем: діодів з р-п-переходом, діодів Шотткі, біполярних транзисторів, польових МДН-транзисторів, резисторів, конденсаторів, RС-структур, індуктивних елементів і напівпровідникових матеріалів. До кожного розділу подано приклад розв’язування типової задачі і літературу, що містить методики розрахунків.